Транзисторы
Транзисторами называются полупроводниковые приборы на основе кристалла с двумя р-n переходами и служащие для усиления электрических сигналов. В структуре транзистора возможно количество переходов, отличное от двух. Транзисторы с двумя р-п переходами называются биполярными, так как их работа основана на использовании зарядов обоих знаков.
Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал, и управляемый электрическим полем. В полевом транзисторе используются заряды одного знака.
В кристалле полупроводника транзистора созданы три области электропроводности с порядком чередования р-n-р или n-р-n.
Средняя область кристалла транзистора называется базой, крайние области — эмиттером и коллектором. Переходы
между базой и эмиттером и базой и коллектором называются соответственно эмиттерным и коллекторным.
Для обозначения величин, относящихся к базе, эмиттеру и коллектору, применяют буквы б, э, к.
На изображении транзистора стрелка указывает условное направление тока в эмиттере от плюса к минусу.
В зависимости от напряжений на переходах транзистора он может работать в трех режимах.
Активный режим Получается при напряжениях прямом на эмиттерном и обратном на коллекторном переходах.
Режим отсечки или запирания — напряжения на обоих переходах обратные.
Режим насыщения — напряжения на обоих переходах прямые.
Основным является активный режим.
В схеме с транзистором образуются две цепи — входная и выходная. Во входную цепь включается управляющий сигнал, который должен быть усилен, а в выходную — нагрузка, на которой выделяется усиленный сигнал.
Предельно допустимые параметры при работе транзистора:
I к. макс — постоянный ток коллектора;
Pк, макс — постоянная рассеиваемая мощность коллектора;
Uкэ — постоянное напряжение коллектор—эмиттер;
Uкэ, R — то же при определенном сопротивлении в цепи база—эмиттер,
Uкб, макс — постоянное напряжение коллектор—база;
Uэб, макс — постоянное напряжение эмиттер—база;
h21э — коэффициент передачи тока в режиме большого сигнала в схеме с общим эмиттером;
h21э — коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
Коэффициент передачи означает отношение величины сигнала на выходе к величине сигнала на входе, он называется также коэффициентом усиления. . Из частотных параметров отметим: fh21 — предельная частота коэффициента передачи тока: частота, на которой модуль коэффициента передачи тока h21э. уменьшается на 3 дБ; fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером: частота, на которой h21э равен 1. Статические параметры транзистора — параметры, определяемые при постоянном напряжении на всех его электродах. Параметры некоторых биполярных транзисторов приведены в табл. 2.16. Таблица 2. 16 ДАННЫЕ НЕКОТОРЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 
Схемы включения транзисторов разделяются в зависимости от того, какой электрод транзистора является общим относительно входного и выходного переменных напряжений. В соответствии с этим схемы называются схемами с общим эмиттером — ОЭ, общей базой — ОБ, общим коллектором — ОК Схема ОЭ является более распространенной, так как дает наибольшее усиление по мощности. Данные схемы включения транзисторов приведены на рис. 2. 3.
Рис. 2. 3. Схемы включения транзисторов а.) с общим эмиттером; б) с общей базой; в) с общим коллектором. ИС — источник сигнала, подаваемого на вход транзистора, Uвх, Uвых — входное и выходное напряжения сигнала, Uбэ, Uбк, Uкэ — напряжения между базой и эмиттером, базой коллектором, коллектором и эмиттером, iб,iэ,iк- токи базы, эмиттера и коллектора, E1, Е2 — источники питания, С1, С2, — конденсаторы большой емкости, сопротивление которых для переменного сигнала является малым и через которые коллектор по переменному току замкнут, являясь в схеме общим.
